| 型号： | EMX4T2R | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | TRANS DUAL NPN 30V 50MA EMT6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| EMX4T2R PDF |  |
| 产品目录绘图 | EMT-6 Package Top |
| 标准包装 | 8,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 4mA，20mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 56 @ 10mA，10V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 频率 - 转换 | 1.5GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1643 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | EMX4T2R-ND EMX4T2RTR |